DMN2009LSS-13-VB
IC
SO-8
可供量大可议
DMN2009LSS-13-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单体N沟道MOSFET， 采用Trench工艺， 适用于需要高效能和高性能的应用场合。 SOP8； N—Channel沟道, 20V； 20A； RDS(ON)=4.9mΩ@VGS=4.5V, VGS=16V； Vth=1~2.1V
品牌
VBsemi
封装
SO-8
库存
79
货期
现货
DMN2009LSS-13-VB参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 79 |
DMN2009LSS-13-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单体N沟道MOSFET， 采用Trench工艺， 适用于需要高效能和高性能的应用场合。 SOP8； N—Channel沟道, 20V； 20A； RDS(ON)=4.9mΩ@VGS=4.5V, VGS=16V； Vth=1~2.1V
DMN2009LSS-13-VB特性
暂无产品特性。
DMN2009LSS-13-VB应用领域
暂无应用领域。