DMN2005UPS-13-HXY
IC
DFN-8(5x6)
可供量大可议
DMN2005UPS-13-HXY
本款N沟道场效应管（MOSFET）具备20V漏源耐压（VDSS）， 可持续通过60A漏极电流（ID）， 导通电阻（RDON）仅为3.5毫欧。 该器件适用于高效率电源转换与管理领域， 如同步整流、电池充放电控制及高性能DC-DC转换电路， 具备快速开关响应和低损耗特性， 可满足多样化电子设备对功率密度与能效的严苛需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8(5x6)
库存
97
货期
现货
DMN2005UPS-13-HXY参数
| 封装 | DFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 97 |
DMN2005UPS-13-HXY概述
本款N沟道场效应管（MOSFET）具备20V漏源耐压（VDSS）， 可持续通过60A漏极电流（ID）， 导通电阻（RDON）仅为3.5毫欧。 该器件适用于高效率电源转换与管理领域， 如同步整流、电池充放电控制及高性能DC-DC转换电路， 具备快速开关响应和低损耗特性， 可满足多样化电子设备对功率密度与能效的严苛需求。
DMN2005UPS-13-HXY特性
暂无产品特性。
DMN2005UPS-13-HXY应用领域
暂无应用领域。