DMN2005LPK-7
IC
X1-DFN1006-3
可供量大可议
DMN2005LPK-7
特性：低导通电阻。 低栅极阈值电压。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 超小表面贴装封装。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 ESD保护栅极。 符合AEC-Q101标准， 可靠性高
品牌
DIODES
封装
X1-DFN1006-3
库存
75
货期
现货
DMN2005LPK-7参数
| 封装 | X1-DFN1006-3 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 75 |
DMN2005LPK-7概述
特性：低导通电阻。 低栅极阈值电压。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 超小表面贴装封装。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 ESD保护栅极。 符合AEC-Q101标准， 可靠性高
DMN2005LPK-7特性
暂无产品特性。
DMN2005LPK-7应用领域
暂无应用领域。