DMN2005K-7
IC
SOT-23
可供量大可议
DMN2005K-7
特性：低导通电阻。 极低的栅极阈值电压， 最大0.9V。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 超小型表面贴装封装。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 ESD保护栅极
品牌
DIODES
封装
SOT-23
库存
14,615
货期
现货
DMN2005K-7参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 14615 |
DMN2005K-7概述
特性：低导通电阻。 极低的栅极阈值电压， 最大0.9V。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 超小型表面贴装封装。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 ESD保护栅极
DMN2005K-7特性
暂无产品特性。
DMN2005K-7应用领域
暂无应用领域。