DMN2004VK-7
IC
SOT-563
可供量大可议
DMN2004VK-7
特性：双 N 沟道 MOSFET。 低导通电阻。 低栅极阈值电压。 低输入电容。 快速开关速度。 超小表面贴装封装。 ESD 保护栅极。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑， “绿色”器件
品牌
DIODES
封装
SOT-563
库存
10
货期
现货
DMN2004VK-7参数
| 封装 | SOT-563 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
DMN2004VK-7概述
特性：双 N 沟道 MOSFET。 低导通电阻。 低栅极阈值电压。 低输入电容。 快速开关速度。 超小表面贴装封装。 ESD 保护栅极。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑， “绿色”器件
DMN2004VK-7特性
暂无产品特性。
DMN2004VK-7应用领域
暂无应用领域。