DMN2004DMK-7
IC
SOT-26
可供量大可议
DMN2004DMK-7
特性：双N沟道MOSFET。 低导通电阻。 低栅极阈值电压。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 超小表面贴装封装。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑的“绿色”设备。 符合AEC-Q101标准， 可靠性高
品牌
DIODES
封装
SOT-26
库存
2,700
货期
现货
DMN2004DMK-7参数
| 封装 | SOT-26 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 225mW |
| 输入电容(Ciss) | 150pF |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
| 商品型号 | DMN2004DMK-7 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 3.8e-05 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2700 |
| 数量 | 2个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@2.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF |
| 商品名称 | 2个N沟道 耐压:20V 电流:540mA |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
DMN2004DMK-7概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低， 同时保持卓越的开关性能， 非常适合高效电源管理应用。
DMN2004DMK-7特性
- 双N沟道MOSFET-低导通电阻-低栅极阈值电压-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流-超小型表面贴装封装-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑, “绿色”器件-符合AEC-Q101高可靠性标准
DMN2004DMK-7应用领域
- 电池供电系统和固态继电器
- 驱动器：继电器、螺线管、灯、锤击器、显示器、存储器、晶体管等
- 电源转换电路