DMN1250UFEL-7
IC
U-QFN1515-12
可供量大可议
DMN1250UFEL-7
特性：低栅极电荷。 RDS(ON)：280mΩ @ Vds = 4.5V（单MOSFET）。 一个封装中有8个N沟道MOSFET。 共源极。 小尺寸：1.5mm × 1.5mm。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素、锑和铍的“绿色”器件
品牌
DIODES
封装
U-QFN1515-12
库存
20
货期
现货
DMN1250UFEL-7参数
| 封装 | U-QFN1515-12 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
DMN1250UFEL-7概述
特性：低栅极电荷。 RDS(ON)：280mΩ @ Vds = 4.5V（单MOSFET）。 一个封装中有8个N沟道MOSFET。 共源极。 小尺寸：1.5mm × 1.5mm。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素、锑和铍的“绿色”器件
DMN1250UFEL-7特性
暂无产品特性。
DMN1250UFEL-7应用领域
暂无应用领域。