DMG9N65CTI-HXY
IC
TO-220F
可供量大可议
DMG9N65CTI-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为650V， 连续漏极电流（ID）为5.1A， 导通电阻（RDS(ON)）为820mΩ， 栅源驱动电压范围（VGS）为-8V至+20V。 器件基于碳化硅材料， 具备较高的耐压能力和良好的开关特性， 适用于高效率电源转换、开关电源、光伏逆变器及高频电力电子系统等场景， 在提升系统功率密度和降低损耗方面具有优势。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F
库存
9
货期
现货
DMG9N65CTI-HXY参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 9 |
DMG9N65CTI-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为650V， 连续漏极电流（ID）为5.1A， 导通电阻（RDS(ON)）为820mΩ， 栅源驱动电压范围（VGS）为-8V至+20V。 器件基于碳化硅材料， 具备较高的耐压能力和良好的开关特性， 适用于高效率电源转换、开关电源、光伏逆变器及高频电力电子系统等场景， 在提升系统功率密度和降低损耗方面具有优势。
DMG9N65CTI-HXY特性
暂无产品特性。
DMG9N65CTI-HXY应用领域
暂无应用领域。