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DMG9926UDM-HXY
IC

SOT-23-6L

可供量大可议

DMG9926UDM-HXY

这款N沟道场效应管支持6A的连续电流和20V的最大工作电压。 其典型内阻为22毫欧, 有助于减少能量损耗。 适用于10VVGS阈值电压的应用环境, 此元件非常适合用于信号调节、电源管理和低至中功率开关电路, 在消费电子和通信设备中实现高效稳定的性能。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23-6L

库存

35

货期

现货

DMG9926UDM-HXY参数

封装SOT-23-6L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存35

DMG9926UDM-HXY概述

这款N沟道场效应管支持6A的连续电流和20V的最大工作电压。 其典型内阻为22毫欧, 有助于减少能量损耗。 适用于10VVGS阈值电压的应用环境, 此元件非常适合用于信号调节、电源管理和低至中功率开关电路, 在消费电子和通信设备中实现高效稳定的性能。

DMG9926UDM-HXY特性

暂无产品特性。

DMG9926UDM-HXY应用领域

暂无应用领域。

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