DMG8880LK3-13-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
DMG8880LK3-13-HXY
该N沟道MOSFET具备80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为5毫欧。 低导通电阻有助于在大电流工作条件下有效降低导通损耗， 提升整体能效。 器件适用于开关电源、电机驱动、电池保护及高密度功率转换等应用场合， 在高频开关操作中表现出良好的动态特性和热稳定性， 适合对效率和空间有较高要求的电子系统。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
90
货期
现货
DMG8880LK3-13-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 90 |
DMG8880LK3-13-HXY概述
该N沟道MOSFET具备80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为5毫欧。 低导通电阻有助于在大电流工作条件下有效降低导通损耗， 提升整体能效。 器件适用于开关电源、电机驱动、电池保护及高密度功率转换等应用场合， 在高频开关操作中表现出良好的动态特性和热稳定性， 适合对效率和空间有较高要求的电子系统。
DMG8880LK3-13-HXY特性
暂无产品特性。
DMG8880LK3-13-HXY应用领域
暂无应用领域。