DMG7702SFG-7-HXY

该N沟道MOSFET额定漏极电流为35A， 最大漏源电压为30V， 导通电阻典型值为7.5毫欧， 在低电压应用中可有效降低导通损耗。 器件适用于对效率和热性能有要求的电源管理场合， 如开关电源、负载开关及便携式设备的功率控制模块。 其参数组合兼顾电流承载能力与导通特性， 适合在紧凑型电路设计中实现高效能量传输。