DMG7702SFG-13-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
DMG7702SFG-13-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有35A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至7.5毫欧。 器件在高电流负载下表现出优异的导通性能， 适用于对效率和热管理要求较高的电源转换、电池管理系统及各类便携式电子设备中的开关应用。 其低导通电阻有助于减少功率损耗， 提升整体能效， 同时支持高频操作， 满足紧凑型电路设计的需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
85
货期
现货
DMG7702SFG-13-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 85 |
DMG7702SFG-13-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有35A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至7.5毫欧。 器件在高电流负载下表现出优异的导通性能， 适用于对效率和热管理要求较高的电源转换、电池管理系统及各类便携式电子设备中的开关应用。 其低导通电阻有助于减少功率损耗， 提升整体能效， 同时支持高频操作， 满足紧凑型电路设计的需求。
DMG7702SFG-13-HXY特性
暂无产品特性。
DMG7702SFG-13-HXY应用领域
暂无应用领域。