DMG4800LSDQ-13-HXY

本款场效应管（MOSFET）采用N+N沟道组合设计， 具备优异的导通与开关性能。 其漏极电流ID可达10A， 漏源电压VDSS为30V， 满足中高功率场景需求。 导通电阻RDON低至12mΩ， 有助于降低导通损耗并提升系统效率。 该器件适用于电源管理、DC-DC转换、负载开关及高性能计算设备中的高频开关应用， 提供稳定可靠的电气性能表现。