DMG4800LSD-13-VB
自营可供
IC
SOP-8
DMG4800LSD-13-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款双路N+N沟道MOSFET， 采用Trench工艺， 可广泛应用于各种电子设备的功率开关和控制模块。 SOP8； 2个N—Channel沟道, 30V； 13.5A； RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.2~2.5V
品牌
VBsemi
封装
SOP-8
交期
现货
批次
—
DMG4800LSD-13-VB参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 输入电容(Ciss) | 641pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 商品型号 | DMG4800LSD-13-VB |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000137 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 90 |
| 数量 | 2个N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 73pF |
| 商品名称 | 30V 11A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
DMG4800LSD-13-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款双路N+N沟道MOSFET， 采用Trench工艺， 可广泛应用于各种电子设备的功率开关和控制模块。 SOP8； 2个N—Channel沟道, 30V； 13.5A； RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.2~2.5V
DMG4800LSD-13-VB特性
- 无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 针对高端同步整流器操作进行优化
- 100% Rq测试
- 100% UIS测试
- 符合RoHS标准
DMG4800LSD-13-VB应用领域
- 笔记本电脑CPU核心-高端开关