DMG4800LSD-13-HXY

本款场效应管（MOSFET）采用N+N沟道结构， 具备优良的导通与开关特性。 其漏极电流ID可达10A， 漏源电压VDSS为30V， 适用于中高功率电源管理应用。 导通电阻RDON低至12mΩ， 有效降低导通损耗， 提高整体系统效率。 该器件可广泛用于电源转换器、电机驱动模块、电池保护电路及高性能数字控制设备中， 提供稳定的电气性能和良好的热稳定性， 满足多种电子系统的设计需求。