DMG4435SSS-13-HXY

该P沟道场效应管漏极电流为11A， 漏源击穿电压30V， 导通电阻13毫欧。 作为高侧开关元件， 其参数特性适用于笔记本电脑电源管理、便携式设备电池保护及液晶显示背光驱动电路。 在低压直流系统中， 该器件能有效控制电流流向， 配合N沟道器件构建同步整流拓扑， 优化电路板空间布局， 满足消费电子对功耗与集成度的严格要求。