DMG3407SSN-7-HXY

本产品为P沟道增强型场效应管（MOSFET）， 适用于多种电源管理与模拟开关应用场景。 其漏极电流ID可达4.1A， 漏源击穿电压VDSS为30V， 导通电阻RDON为42mΩ， 具备良好的导通性能与开关响应特性。 器件设计兼顾效率与稳定性， 适合用于电池供电设备、便携式电子产品、DC-DC转换电路及各类低功率电源管理系统中， 为电路提供高效、可靠的控制与传输路径。