DMG2305UXQ-13-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
DMG2305UXQ-13-HXY
该P沟道场效应管最大漏极电流5A, 漏源击穿电压20V, 导通电阻35mΩ。 器件在低压环境下具备低导通损耗特性, 能有效降低功率转换过程中的热耗散。 适用于笔记本电脑电源管理、便携式设备电池保护及负载开关电路。 其电气参数支持高效的电流控制, 满足消费电子与通信终端对紧凑布局及稳定供电的设计要求。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
90
货期
现货
DMG2305UXQ-13-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 90 |
DMG2305UXQ-13-HXY概述
该P沟道场效应管最大漏极电流5A, 漏源击穿电压20V, 导通电阻35mΩ。 器件在低压环境下具备低导通损耗特性, 能有效降低功率转换过程中的热耗散。 适用于笔记本电脑电源管理、便携式设备电池保护及负载开关电路。 其电气参数支持高效的电流控制, 满足消费电子与通信终端对紧凑布局及稳定供电的设计要求。
DMG2305UXQ-13-HXY特性
暂无产品特性。
DMG2305UXQ-13-HXY应用领域
暂无应用领域。
