库存与价格 最近更新:2026年10月9日 00:34(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
DMG2305UXQ-13-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

DMG2305UXQ-13-HXY

该P沟道场效应管最大漏极电流5A, 漏源击穿电压20V, 导通电阻35mΩ。 器件在低压环境下具备低导通损耗特性, 能有效降低功率转换过程中的热耗散。 适用于笔记本电脑电源管理、便携式设备电池保护及负载开关电路。 其电气参数支持高效的电流控制, 满足消费电子与通信终端对紧凑布局及稳定供电的设计要求。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

90

货期

现货

DMG2305UXQ-13-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存90

DMG2305UXQ-13-HXY概述

该P沟道场效应管最大漏极电流5A, 漏源击穿电压20V, 导通电阻35mΩ。 器件在低压环境下具备低导通损耗特性, 能有效降低功率转换过程中的热耗散。 适用于笔记本电脑电源管理、便携式设备电池保护及负载开关电路。 其电气参数支持高效的电流控制, 满足消费电子与通信终端对紧凑布局及稳定供电的设计要求。

DMG2305UXQ-13-HXY特性

暂无产品特性。

DMG2305UXQ-13-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件