DMG2305UX-13-HXY

该P沟道场效应管最大漏极电流为5A， 漏源击穿电压20V， 导通电阻典型值35mΩ。 器件在低电压条件下具备优良的导通特性， 适用于电池保护、负载开关及便携式设备电源管理电路。 其低导通损耗有助于提升系统效率， 适合对空间与功耗敏感的消费电子应用， 如移动终端、可穿戴设备及数码产品中的功率控制模块。