DMG1023UV-7
IC
SOT-563
可供量大可议
DMG1023UV-7
特性：双 P 沟道 MOSFET。 低导通电阻。 低栅极阈值电压。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 超小表面贴装封装。 ESD 保护高达 3KV。 无铅设计/符合 RoHS 标准。 无卤和无锑“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
品牌
DIODES
封装
SOT-563
库存
5,725
货期
现货
DMG1023UV-7参数
| 封装 | SOT-563 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5725 |
DMG1023UV-7概述
特性：双 P 沟道 MOSFET。 低导通电阻。 低栅极阈值电压。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 超小表面贴装封装。 ESD 保护高达 3KV。 无铅设计/符合 RoHS 标准。 无卤和无锑“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
DMG1023UV-7特性
暂无产品特性。
DMG1023UV-7应用领域
暂无应用领域。