DMG1016UDW-7-HXY

本款N+P沟道场效应管（MOSFET）采用复合沟道设计， 适用于多种中低功率电子应用。 其参数包括：漏极电流ID为0.8A， 漏源电压VDSS为20V， 导通电阻RDON为320mΩ， 具备良好的开关特性和电流控制能力。 该器件适合用于便携式设备、电池管理系统、信号切换电路及各类消费类电子产品中的电源管理与功率调节单元， 支持高效能与小型化设计需求。