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DMG1012T
自营可供
IC

SOT-523-3

DMG1012T

场效应管(MOSFET) 280mW 20V 800mA 1个N沟道

品牌

TECH PUBLIC

封装

SOT-523-3

交期

现货

批次

26+

DMG1012T参数

封装SOT-523-3
品牌TECH PUBLIC(台舟电子)
批次26+
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))300mΩ@2.5V
阈值电压(Vgs(th))1.1V
反向传输电容(Crss)15pF
类型N沟道
分类场效应管(MOSFET)
库存8,618
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)20V
耗散功率(Pd)280mW
输入电容(Ciss)120pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)20pF

DMG1012T概述

场效应管(MOSFET) 280mW 20V 800mA 1个N沟道

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