DMG1012T-VB
IC
SC-75-3
可供量大可议
DMG1012T-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N结构设计， 采用Trench技术， 适用于低功率、高效能和高可靠性要求的电路和模块。 SC75-3； N—Channel沟道, 20V； 0.85A； RDS(ON)=270mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V； Vth=0.5~1V
品牌
VBsemi
封装
SC-75-3
库存
55
货期
现货
DMG1012T-VB参数
| 封装 | SC-75-3 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 55 |
DMG1012T-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N结构设计， 采用Trench技术， 适用于低功率、高效能和高可靠性要求的电路和模块。 SC75-3； N—Channel沟道, 20V； 0.85A； RDS(ON)=270mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V； Vth=0.5~1V
DMG1012T-VB特性
暂无产品特性。
DMG1012T-VB应用领域
暂无应用领域。