DMG1012T-7-VB
IC
SC-75-3
可供量大可议
DMG1012T-7-VB
台积电流片， 长电科技封装； SC75-3； N—Channel沟道； 20V； 0.85A； RDS(ON)=270(mΩ)@VGS=4.5V； VGS=±12V； Vth=0.5~1.5V； 采用Trench技术
品牌
VBsemi
封装
SC-75-3
库存
5
货期
现货
DMG1012T-7-VB参数
| 封装 | SC-75-3 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
DMG1012T-7-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； SC75-3； N—Channel沟道； 20V； 0.85A； RDS(ON)=270(mΩ)@VGS=4.5V； VGS=±12V； Vth=0.5~1.5V； 采用Trench技术
DMG1012T-7-VB特性
暂无产品特性。
DMG1012T-7-VB应用领域
暂无应用领域。