DMC3021LSD-13-HXY

本款N+P沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源耐压（VDSS）， 支持连续6A的漏极电流（ID）， 导通电阻（RDON）为16毫欧， 可有效降低导通损耗， 提升系统效率。 器件支持双向开关应用， 适用于电源管理、便携式设备、电池供电系统及小型化电子产品的电路设计， 具备高频响应能力， 满足对性能与空间布局有要求的多样化应用场景。