DLD101-7
IC
DFN-8-EP(3x3)
可供量大可议
DLD101-7
特性：主要设计用于驱动照明、标识和背光应用的LED。 非常适合线性模式恒流应用。 VBE参考电流吸收电路。 包括N沟道增强型MOSFET（Q1）和基极可访问的预偏置晶体管（Q2）。 高电压能力：50V。 小尺寸表面贴装封装。 高散热能力。 低热阻。 无铅设计/符合RoHS标准。 “绿色”器件。 符合AEC-Q101标准， 可靠性高
品牌
DIODES
封装
DFN-8-EP(3x3)
库存
30
货期
现货
DLD101-7参数
| 封装 | DFN-8-EP(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | LED驱动 |
|---|---|
| 库存 | 30 |
DLD101-7概述
特性：主要设计用于驱动照明、标识和背光应用的LED。 非常适合线性模式恒流应用。 VBE参考电流吸收电路。 包括N沟道增强型MOSFET（Q1）和基极可访问的预偏置晶体管（Q2）。 高电压能力：50V。 小尺寸表面贴装封装。 高散热能力。 低热阻。 无铅设计/符合RoHS标准。 “绿色”器件。 符合AEC-Q101标准， 可靠性高
DLD101-7特性
暂无产品特性。
DLD101-7应用领域
暂无应用领域。