DKI03038-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至3毫欧。 其高电流承载能力与极低导通损耗相结合， 适用于对效率和热性能要求较高的功率转换场合。 器件结构优化了开关特性， 在高频工作条件下仍能保持稳定性能， 适合用于电源管理、电机驱动及各类高效能电子系统中的功率开关应用。