DIW065SIC015-HXY

该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为218A， 漏源击穿电压达750V， 导通电阻低至11mΩ， 栅源驱动电压范围为-10V至+25V。 基于碳化硅材料的特性， 器件在高频开关条件下表现出优异的动态性能和较低的能量损耗。 其宽栅压范围提升了与多种驱动电路的适配能力， 同时具备良好的热稳定性和高效率表现， 适用于对功率处理能力和系统紧凑性要求较高的电力电子应用。