DIT085N10-HXY
IC
TO-220C
可供量大可议
DIT085N10-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具备120A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为4.1毫欧。 其低导通电阻有助于在高电流工作条件下有效降低功率损耗， 提升整体能效。 器件适用于需要高效开关性能的场合， 如电源管理、电机控制及高频逆变系统， 能够在严苛电气环境中保持稳定运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C
库存
45
货期
现货
DIT085N10-HXY参数
| 封装 | TO-220C |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 45 |
DIT085N10-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具备120A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为4.1毫欧。 其低导通电阻有助于在高电流工作条件下有效降低功率损耗， 提升整体能效。 器件适用于需要高效开关性能的场合， 如电源管理、电机控制及高频逆变系统， 能够在严苛电气环境中保持稳定运行。
DIT085N10-HXY特性
暂无产品特性。
DIT085N10-HXY应用领域
暂无应用领域。