Stock与价格 最近更新:2026年10月8日 02:13(北京时间)
WMiC电子元器件Procurement平台
热门搜索Part Number:
DI100N10PQ-HXY
IC

DFN-8L(5x6)

可供量大可议

DI100N10PQ-HXY

该N沟道场效应管具备100V漏源电压(VDSS)和高达120A的连续漏极电流(ID)能力, 导通电阻仅为3.6mΩ, 显著降低导通损耗, 提升系统整体能效。 低RDON特性使其在大电流工作条件下仍能保持较低温升, 适用于高功率密度设计。 器件适用于各类高效开关电源、直流电机驱动、电池供电设备及大功率转换模块, 可有效改善热性能与效率表现, 是高性能功率开关应用中的典型场效应管解决方案。

Brand

HXY MOSFET

Package

DFN-8L(5x6)

Stock

60

货期

现货

DI100N10PQ-HXYParameters

封装DFN-8L(5x6)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存60

DI100N10PQ-HXY概述

该N沟道场效应管具备100V漏源电压(VDSS)和高达120A的连续漏极电流(ID)能力, 导通电阻仅为3.6mΩ, 显著降低导通损耗, 提升系统整体能效。 低RDON特性使其在大电流工作条件下仍能保持较低温升, 适用于高功率密度设计。 器件适用于各类高效开关电源、直流电机驱动、电池供电设备及大功率转换模块, 可有效改善热性能与效率表现, 是高性能功率开关应用中的典型场效应管解决方案。

DI100N10PQ-HXY特性

暂无产品特性。

DI100N10PQ-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件