DI100N10PQ-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
DI100N10PQ-HXY
该N沟道场效应管具备100V漏源电压(VDSS)和高达120A的连续漏极电流(ID)能力, 导通电阻仅为3.6mΩ, 显著降低导通损耗, 提升系统整体能效。 低RDON特性使其在大电流工作条件下仍能保持较低温升, 适用于高功率密度设计。 器件适用于各类高效开关电源、直流电机驱动、电池供电设备及大功率转换模块, 可有效改善热性能与效率表现, 是高性能功率开关应用中的典型场效应管解决方案。
Brand
HXY MOSFET
Package
DFN-8L(5x6)
Stock
60
货期
现货
DI100N10PQ-HXYParameters
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 60 |
DI100N10PQ-HXY概述
该N沟道场效应管具备100V漏源电压(VDSS)和高达120A的连续漏极电流(ID)能力, 导通电阻仅为3.6mΩ, 显著降低导通损耗, 提升系统整体能效。 低RDON特性使其在大电流工作条件下仍能保持较低温升, 适用于高功率密度设计。 器件适用于各类高效开关电源、直流电机驱动、电池供电设备及大功率转换模块, 可有效改善热性能与效率表现, 是高性能功率开关应用中的典型场效应管解决方案。
DI100N10PQ-HXY特性
暂无产品特性。
DI100N10PQ-HXY应用领域
暂无应用领域。
