DI054N10D1-AQ-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
DI054N10D1-AQ-HXY
该N沟道场效应管额定漏极电流为70A, 漏源击穿电压100V, 导通电阻8.2毫欧, 栅源电压耐受值20V。 低导通电阻特性使其在大电流切换时损耗极低, 适用于高功率直流电源转换、电池组保护电路及电机驱动模块。 器件能在高负载条件下维持稳定运行, 优化系统热性能并提升整体能效表现。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
43
货期
现货
DI054N10D1-AQ-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 43 |
DI054N10D1-AQ-HXY概述
该N沟道场效应管额定漏极电流为70A, 漏源击穿电压100V, 导通电阻8.2毫欧, 栅源电压耐受值20V。 低导通电阻特性使其在大电流切换时损耗极低, 适用于高功率直流电源转换、电池组保护电路及电机驱动模块。 器件能在高负载条件下维持稳定运行, 优化系统热性能并提升整体能效表现。
DI054N10D1-AQ-HXY特性
暂无产品特性。
DI054N10D1-AQ-HXY应用领域
暂无应用领域。
