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DI054N10D1-AQ-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

DI054N10D1-AQ-HXY

该N沟道场效应管额定漏极电流为70A, 漏源击穿电压100V, 导通电阻8.2毫欧, 栅源电压耐受值20V。 低导通电阻特性使其在大电流切换时损耗极低, 适用于高功率直流电源转换、电池组保护电路及电机驱动模块。 器件能在高负载条件下维持稳定运行, 优化系统热性能并提升整体能效表现。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

43

货期

现货

DI054N10D1-AQ-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存43

DI054N10D1-AQ-HXY概述

该N沟道场效应管额定漏极电流为70A, 漏源击穿电压100V, 导通电阻8.2毫欧, 栅源电压耐受值20V。 低导通电阻特性使其在大电流切换时损耗极低, 适用于高功率直流电源转换、电池组保护电路及电机驱动模块。 器件能在高负载条件下维持稳定运行, 优化系统热性能并提升整体能效表现。

DI054N10D1-AQ-HXY特性

暂无产品特性。

DI054N10D1-AQ-HXY应用领域

暂无应用领域。

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