DI050P03PT-AQ-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
DI050P03PT-AQ-HXY
该P沟道场效应管具备70A连续漏极电流能力, 漏源击穿电压为30V, 导通电阻典型值6.5毫欧, 栅源电压耐受范围达20V。 低导通损耗特性使其适用于大电流负载开关、电池组保护及电源极性防反接电路。 在便携式设备供电管理或直流电机驱动中, 该器件能有效降低热耗散, 提升系统能效, 满足紧凑型电路板对高功率密度元件的需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
47
货期
现货
DI050P03PT-AQ-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 47 |
DI050P03PT-AQ-HXY概述
该P沟道场效应管具备70A连续漏极电流能力, 漏源击穿电压为30V, 导通电阻典型值6.5毫欧, 栅源电压耐受范围达20V。 低导通损耗特性使其适用于大电流负载开关、电池组保护及电源极性防反接电路。 在便携式设备供电管理或直流电机驱动中, 该器件能有效降低热耗散, 提升系统能效, 满足紧凑型电路板对高功率密度元件的需求。
DI050P03PT-AQ-HXY特性
暂无产品特性。
DI050P03PT-AQ-HXY应用领域
暂无应用领域。
