DI040P04D1-AQ-HXY

该P沟道场效应管（MOSFET）具备40V漏源击穿电压， 支持50A连续漏极电流， 导通电阻低至10毫欧。 其低阻抗特性有效降低导通损耗， 提升电源转换效率。 适用于笔记本电脑主板供电、电池保护电路及便携式设备负载开关等场景， 满足高电流密度与紧凑空间的设计需求， 确保系统在动态负载下的稳定运行。