库存与价格 最近更新:2026年10月9日 00:34(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
DI028P03PT-HXY
IC

DFN-8L(3x3)

可供量大可议

DI028P03PT-HXY

该P沟道场效应管漏极电流达70A, 漏源耐压30V, 导通电阻仅6.5毫欧, 栅源电压耐受值为20V。 器件凭借大电流承载与极低内阻特性, 适用于高密度电池储能系统、服务器电源管理及大功率负载开关。 在多相电压调节与直流电机驱动应用中, 其低损耗表现有助于优化热设计, 满足高性能计算设备对紧凑布局与能效的严格要求。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-8L(3x3)

库存

17

货期

现货

DI028P03PT-HXY参数

封装DFN-8L(3x3)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存17

DI028P03PT-HXY概述

该P沟道场效应管漏极电流达70A, 漏源耐压30V, 导通电阻仅6.5毫欧, 栅源电压耐受值为20V。 器件凭借大电流承载与极低内阻特性, 适用于高密度电池储能系统、服务器电源管理及大功率负载开关。 在多相电压调节与直流电机驱动应用中, 其低损耗表现有助于优化热设计, 满足高性能计算设备对紧凑布局与能效的严格要求。

DI028P03PT-HXY特性

暂无产品特性。

DI028P03PT-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件