DI028P03PT-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
DI028P03PT-HXY
该P沟道场效应管漏极电流达70A, 漏源耐压30V, 导通电阻仅6.5毫欧, 栅源电压耐受值为20V。 器件凭借大电流承载与极低内阻特性, 适用于高密度电池储能系统、服务器电源管理及大功率负载开关。 在多相电压调节与直流电机驱动应用中, 其低损耗表现有助于优化热设计, 满足高性能计算设备对紧凑布局与能效的严格要求。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
17
货期
现货
DI028P03PT-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 17 |
DI028P03PT-HXY概述
该P沟道场效应管漏极电流达70A, 漏源耐压30V, 导通电阻仅6.5毫欧, 栅源电压耐受值为20V。 器件凭借大电流承载与极低内阻特性, 适用于高密度电池储能系统、服务器电源管理及大功率负载开关。 在多相电压调节与直流电机驱动应用中, 其低损耗表现有助于优化热设计, 满足高性能计算设备对紧凑布局与能效的严格要求。
DI028P03PT-HXY特性
暂无产品特性。
DI028P03PT-HXY应用领域
暂无应用领域。
