DI017N10D1-HXY

这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有100V的漏源极耐压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID）。 其导通电阻（RDON）为80毫欧， 在中等功率应用中实现了开关损耗与成本的平衡。 该器件适用于开关电源适配器、电动工具控制板及便携式设备电源管理模块。 凭借稳定的电压耐受能力与适中的电流处理水平， 它能有效胜任各类消费电子及通用电子设备中的功率开关任务。