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DHG10I600PM-HXY
IC

TO-220F-2L

可供量大可议

DHG10I600PM-HXY

该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流(IF)为10A, 最大反向重复峰值电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.37V, 在浪涌条件下可承受高达80A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 其低导通压降与高耐压特性相结合, 适用于对效率和可靠性要求较高的电源转换场景, 尤其在高频开关环境中能有效降低损耗并提升系统响应速度。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220F-2L

库存

24

货期

现货

DHG10I600PM-HXY参数

封装TO-220F-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存24

DHG10I600PM-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流(IF)为10A, 最大反向重复峰值电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.37V, 在浪涌条件下可承受高达80A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 其低导通压降与高耐压特性相结合, 适用于对效率和可靠性要求较高的电源转换场景, 尤其在高频开关环境中能有效降低损耗并提升系统响应速度。

DHG10I600PM-HXY特性

暂无产品特性。

DHG10I600PM-HXY应用领域

暂无应用领域。

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