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DGTD120T40S1PT-HXY
IC

TO-247

可供量大可议

DGTD120T40S1PT-HXY

本产品为IGBT管/模块, 具备集电极电流(Ic)40A、集射极击穿电压(Vces)1200V的高耐压与大电流能力, 适合需要高效能功率转换的应用场景。 其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.7V, 有效降低导通损耗, 提高系统效率。 内置二极管的正向电流(IF)可达40A, 正向压降(Vf)为1.85V, 支持快速恢复特性。 该器件适用于电源变换器、智能电网设备、新能源控制系统等领域, 提供稳定可靠的功率控制性能。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-247

库存

12

货期

现货

DGTD120T40S1PT-HXY参数

封装TO-247
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类IGBT管/模块
库存12

DGTD120T40S1PT-HXY概述

本产品为IGBT管/模块, 具备集电极电流(Ic)40A、集射极击穿电压(Vces)1200V的高耐压与大电流能力, 适合需要高效能功率转换的应用场景。 其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.7V, 有效降低导通损耗, 提高系统效率。 内置二极管的正向电流(IF)可达40A, 正向压降(Vf)为1.85V, 支持快速恢复特性。 该器件适用于电源变换器、智能电网设备、新能源控制系统等领域, 提供稳定可靠的功率控制性能。

DGTD120T40S1PT-HXY特性

暂无产品特性。

DGTD120T40S1PT-HXY应用领域

暂无应用领域。

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