DGTD120T40S1PT-HXY
IC
TO-247
可供量大可议
DGTD120T40S1PT-HXY
本产品为IGBT管/模块, 具备集电极电流(Ic)40A、集射极击穿电压(Vces)1200V的高耐压与大电流能力, 适合需要高效能功率转换的应用场景。 其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.7V, 有效降低导通损耗, 提高系统效率。 内置二极管的正向电流(IF)可达40A, 正向压降(Vf)为1.85V, 支持快速恢复特性。 该器件适用于电源变换器、智能电网设备、新能源控制系统等领域, 提供稳定可靠的功率控制性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247
库存
12
货期
现货
DGTD120T40S1PT-HXY参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 12 |
DGTD120T40S1PT-HXY概述
本产品为IGBT管/模块, 具备集电极电流(Ic)40A、集射极击穿电压(Vces)1200V的高耐压与大电流能力, 适合需要高效能功率转换的应用场景。 其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.7V, 有效降低导通损耗, 提高系统效率。 内置二极管的正向电流(IF)可达40A, 正向压降(Vf)为1.85V, 支持快速恢复特性。 该器件适用于电源变换器、智能电网设备、新能源控制系统等领域, 提供稳定可靠的功率控制性能。
DGTD120T40S1PT-HXY特性
暂无产品特性。
DGTD120T40S1PT-HXY应用领域
暂无应用领域。
