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DGD2304S8-13
Available可供
IC

SO-8

DGD2304S8-13

IC: driver; IGBT half-bridge, MOSFET half-bridge; gate

Brand

DIODES

Package

SO-8

交期

现货

Date Code

25+

DGD2304S8-13Parameters

封装SO-8
品牌DIODES(美台)
批次25+
驱动配置半桥
驱动通道数2
拉电流(IOH)290mA
上升时间(tr)70ns
传播延迟 tpLH95ns
特性欠压保护(UVP)
静态电流(Iq)260uA
分类栅极驱动芯片
库存622
MOQ / SPQ1 / 1
负载类型IGBT; MOSFET
灌电流(IOL)600mA
工作电压10V~20V
下降时间(tf)35ns
传播延迟 tpHL100ns
工作温度-40℃~+125℃
功能特性交错导通保护; 死区时间控制

DGD2304S8-13概述

IC: driver; IGBT half-bridge, MOSFET half-bridge; gate

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