DGD2117S8-13
IC
SO-8
可供量大可议
DGD2117S8-13
栅极驱动器
品牌
DIODES
封装
SO-8
库存
2,197
货期
现货
DGD2117S8-13参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| 批次 | 21+ |
| 驱动配置 | 高端 |
| 驱动器数 | 1 |
| 电压 - 供电 | 10V ~ 20V |
| 电流 - 峰值输出（灌入， 拉出） | 290mA， 600mA |
| 高压侧电压 - 最大值（自举） | 600V |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"， 3.90mm 宽） |
| 分类 | 栅极驱动芯片 |
|---|---|
| 库存 | 2,197 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 通道类型 | 单路 |
| 栅极类型 | IGBT， N 沟道 MOSFET |
| 逻辑电压 - VIL， VIH | 6V， 9.5V |
| 输入类型 | 非反相 |
| 上升/下降时间（典型值） | 75ns， 35ns |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
DGD2117S8-13概述
栅极驱动器
DGD2117S8-13特性
暂无产品特性。
DGD2117S8-13应用领域
暂无应用领域。