DGD2005S8-13
IC
SO-8
可供量大可议
DGD2005S8-13
IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side, gate driver
品牌
DIODES
封装
SO-8
库存
2,428
货期
现货
DGD2005S8-13参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| 批次 | 25+ |
| 驱动配置 | 半桥 |
| 驱动通道数 | 2 |
| 拉电流(IOH) | 290mA |
| 上升时间(tr) | 100ns |
| 传播延迟 tpLH | 100ns |
| 特性 | 欠压保护(UVP) |
| 静态电流(Iq) | 120uA |
| 分类 | 栅极驱动芯片 |
|---|---|
| 库存 | 2,428 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 负载类型 | MOSFET |
| 灌电流(IOL) | 600mA |
| 工作电压 | 10V~20V |
| 下降时间(tf) | 35ns |
| 传播延迟 tpHL | 100ns |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
| 功能特性 | 交错导通保护 |
DGD2005S8-13概述
IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side, gate driver
DGD2005S8-13特性
暂无产品特性。
DGD2005S8-13应用领域
暂无应用领域。