DGD05463M10-13
自营可供
IC
MSOP-10
DGD05463M10-13
Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin MSOP
品牌
DIODES
封装
MSOP-10
交期
现货
批次
24+
DGD05463M10-13参数
| 封装 | MSOP-10 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| 批次 | 24+ |
| 驱动配置 | 半桥 |
| 驱动通道数 | 2 |
| 拉电流(IOH) | 1.5A |
| 上升时间(tr) | 17ns |
| 传播延迟 tpHL | 22ns |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
| 功能特性 | 使能关断； 内置自举二极管； 交错导通保护； 死区时间控制 |
| 分类 | 栅极驱动芯片 |
|---|---|
| 库存 | 1 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 负载类型 | MOSFET |
| 灌电流(IOL) | 2.5A |
| 工作电压 | 4.5V~14V |
| 下降时间(tf) | 12ns |
| 特性 | 欠压保护(UVP) |
| 静态电流(Iq) | 280uA |
DGD05463M10-13概述
Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin MSOP
DGD05463M10-13特性
- 驱动配置：半桥（High- and Low-side）双通道
- 通道数：2
- 工作电压：4.5V ～ 14V
- 静态电流（Iq）：280 μA（低待机功耗）
- 拉电流（IOH）：1.5 A（源极驱动）
- 灌电流（IOL）：2.5 A（漏极驱动/下拉）
- 上升时间 tr：17 ns
- 下降时间 tf：12 ns
- 传播延迟 tpHL（示例）：22 ns
- 保护功能：欠压保护（UVP）
- 封装：MSOP-10， 适合空间受限设计
DGD05463M10-13应用领域
- 推荐用于同步降压转换器、无刷电机驱动、半桥逆变及功率开关模块等以 MOSFET 为负载的电路。
- 布局：将 VCC、GND、VB 与电源滤波电容靠近器件引脚放置， 缩短回流回路， 减小寄生感抗。
- 引导与去耦：在 VCC 与 VB（高侧供电）处放置低 ESR 陶瓷电容
- 高侧使用合适的自举电容并确保续流路径。
- 栅极串联电阻：根据 MOSFET 的栅电荷与开关电流适当添加门极电阻， 以抑制振铃与控制 dv/dt。
- 保护：配合 TVS 或 RC 抑制网络防止瞬态过压， 配合电流检测实现过流保护。