DG333ADQ-T1-E3

由四个独立控制的单刀双掷模拟开关组成。 这些单片开关设计用于高精度控制模拟信号。 通过提供低导通电阻（典型值25Ω）、低泄漏（典型值20pA）和低电荷注入性能， 可最大程度减少测量误差。 DG333AL具有微功耗运行（典型值<1μW）， 适用于电池供电系统。 改进的电荷注入补偿设计可最大程度减少开关瞬变。 这些开关可处理高达±22V的信号， 连续电流提高到30mA。 采用专有HVSG-2 CMOS工艺制造， 实现了更高的速度和更低的功耗。 外延层可防止闩锁。 每个开关导通时在两个方向上性能相同。 关闭时， 它们可阻挡高达电源电平的电压。