DFE252012F-R82M=P2
IC
1008
可供量大可议
DFE252012F-R82M=P2
特性：小型尺寸:2520封装(2.5mm×2.0mm), 低轮廓(最大高度1.2mm)。 使用磁性铁粉, 确保大电流能力。 使用扁平线, 实现低直流电阻。 磁屏蔽, 低可听芯噪声。 可回流焊接。 工作温度:-40~+125°C
品牌
muRata
封装
1008
库存
685
货期
现货
DFE252012F-R82M=P2参数
| 封装 | 1008 |
|---|---|
| 品牌 | muRata(村田) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 功率电感 |
|---|---|
| 库存 | 685 |
DFE252012F-R82M=P2概述
特性：小型尺寸:2520封装(2.5mm×2.0mm), 低轮廓(最大高度1.2mm)。 使用磁性铁粉, 确保大电流能力。 使用扁平线, 实现低直流电阻。 磁屏蔽, 低可听芯噪声。 可回流焊接。 工作温度:-40~+125°C
DFE252012F-R82M=P2特性
暂无产品特性。
DFE252012F-R82M=P2应用领域
暂无应用领域。