DF2B6.8M1ACT
IC
DFN1006-2
可供量大可议
DF2B6.8M1ACT
特性：超低泄漏：nA级别。 工作电压：5V。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试 空气放电：±30kV 接触放电：±30kV。 -IEC61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）。 -IEC61000-4-5（雷电）4.5A（8/20μs）。 应用：智能手机。 显示端口
品牌
Leiditech
封装
DFN1006-2
库存
10
货期
现货
DF2B6.8M1ACT参数
| 封装 | DFN1006-2 |
|---|---|
| 品牌 | Leiditech(雷卯电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
DF2B6.8M1ACT概述
特性：超低泄漏：nA级别。 工作电压：5V。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试 空气放电：±30kV 接触放电：±30kV。 -IEC61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）。 -IEC61000-4-5（雷电）4.5A（8/20μs）。 应用：智能手机。 显示端口
DF2B6.8M1ACT特性
暂无产品特性。
DF2B6.8M1ACT应用领域
暂无应用领域。