库存与价格 最近更新:2026年10月9日 00:34(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
DESD3V3Z1BCSFQ-7-HXY
IC

DFN0603-2L

可供量大可议

DESD3V3Z1BCSFQ-7-HXY

此款静电和浪涌保护器件, 设计为TVS/ESD保护二极管, 具备4安培的峰值脉冲电流承载能力IPP, 确保在遭遇瞬时高电流冲击时仍能稳定工作。 其反向工作电压VRWM设定为3.3伏特, 适用于低电压环境下的信号线保护。 电容CJ仅为0.55皮法, 有助于保持信号完整性, 特别适合高速数据线路。 采用单通道1 LINE设计, 简化了电路布局。 Bi双向类型允许其在正反两个方向上提供一致的保护效能, 适用于对称性信号路径。 此元件是保护敏感电子设备免受静电放电和瞬态过压事件影响的理想选择。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN0603-2L

库存

25

货期

现货

DESD3V3Z1BCSFQ-7-HXY参数

封装DFN0603-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存25

DESD3V3Z1BCSFQ-7-HXY概述

此款静电和浪涌保护器件, 设计为TVS/ESD保护二极管, 具备4安培的峰值脉冲电流承载能力IPP, 确保在遭遇瞬时高电流冲击时仍能稳定工作。 其反向工作电压VRWM设定为3.3伏特, 适用于低电压环境下的信号线保护。 电容CJ仅为0.55皮法, 有助于保持信号完整性, 特别适合高速数据线路。 采用单通道1 LINE设计, 简化了电路布局。 Bi双向类型允许其在正反两个方向上提供一致的保护效能, 适用于对称性信号路径。 此元件是保护敏感电子设备免受静电放电和瞬态过压事件影响的理想选择。

DESD3V3Z1BCSFQ-7-HXY特性

暂无产品特性。

DESD3V3Z1BCSFQ-7-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件