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DE016PDG-C
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IC

TO-252

DE016PDG-C

P管/60V/75A/16MΩ/(典型12MΩ)

品牌

DOINGTER

封装

TO-252

交期

现货

批次

—

DE016PDG-C参数

封装TO-252
品牌DOINGTER(杜因特)
MOQ / SPQ1 / 5
漏源电压(Vdss)-60V
耗散功率(Pd)90W
栅极电荷量(Qg)140nC@10V
反向传输电容(Crss)209pF
类型P沟道
栅极电压(Vgs)±20V
商品型号DE016PDG-C
单位个
商品重量0.0007372
分类场效应管(MOSFET)
库存1000
数量1个P沟道
导通电阻(RDS(on))12mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))-1.6V
输入电容(Ciss)7.7nF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)289pF
商品名称DE016PDG-C
包装方式编带
商品类型场效应管(MOSFET)

DE016PDG-C概述

P管/60V/75A/16MΩ/(典型12MΩ)

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