DDTD123TC-7-F
IC
SOT-23
可供量大可议
DDTD123TC-7-F
特性：外延平面管芯结构。 有互补PNP类型（DDTB）。 内置偏置电阻。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑， “绿色”器件
品牌
DIODES
封装
SOT-23
库存
50
货期
现货
DDTD123TC-7-F参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 直流电流增益(hFE) | 100 |
| 输出电压(VO(on)) | 300mV |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 特征频率(fT) | 200MHz |
| 分类 | 数字晶体管 |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| 数量 | 1个NPN-预偏置 |
| 集电极电流(Ic) | 500mA |
| 晶体管类型 | NPN |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |
| 输入电阻 | 2.2kΩ |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV |
| 集电极截止电流(Icbo) | 500nA |
DDTD123TC-7-F概述
数字晶体管 200mW 50V 500mA 1个NPN-预偏置
DDTD123TC-7-F特性
暂无产品特性。
DDTD123TC-7-F应用领域
暂无应用领域。