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DDA114EU-7-F
IC

SOT-363

可供量大可议

DDA114EU-7-F

数字晶体管 200mW 50V 100mA 2个NPN-预偏置

品牌

DIODES

封装

SOT-363

库存

1,799

货期

现货

DDA114EU-7-F参数

封装SOT-363
品牌DIODES(美台)
批次25+
数量1个NPN-预偏置, 1个PNP-预偏置
集电极电流(Ic)100mA
晶体管类型NPN+PNP
射基极击穿电压(Vebo)5V
最大输入电压(VI(off))1.9V
输入电阻10kΩ
工作温度-55℃~+150℃
分类数字晶体管
库存1,799
MOQ / SPQ1 / 1
集射极击穿电压(Vceo)50V
耗散功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE)30
最小输入电压(VI(on))3V@10mA, 300mV
输出电压(VO(on))300mV@10mA, 500uA
电阻比率1
特征频率(fT)250MHz

DDA114EU-7-F概述

数字晶体管 200mW 50V 100mA 2个NPN-预偏置

DDA114EU-7-F特性

暂无产品特性。

DDA114EU-7-F应用领域

暂无应用领域。

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