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DD008NDG-Y
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IC

TO-252

DD008NDG-Y

N管/40V/60A/7MΩ/(典型6.5MΩ)

品牌

DOINGTER

封装

TO-252

交期

现货

批次

—

DD008NDG-Y参数

封装TO-252
品牌DOINGTER(杜因特)
MOQ / SPQ1 / 5
漏源电压(Vdss)40V
耗散功率(Pd)60W
栅极电荷量(Qg)40nC@10V
反向传输电容(Crss)109pF
类型N沟道
栅极电压(Vgs)±20V
商品型号DD008NDG-Y
单位个
商品重量0.00053452
分类场效应管(MOSFET)
库存2500
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))5.6mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))1.5V
输入电容(Ciss)2nF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)122pF
商品名称DD008NDG-Y
包装方式编带
商品类型场效应管(MOSFET)

DD008NDG-Y概述

N管/40V/60A/7MΩ/(典型6.5MΩ)

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