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DC010NDG-K
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IC

TO-252

DC010NDG-K

N管/30V/55A/10MΩ/(典型6.6MΩ)

品牌

DOINGTER

封装

TO-252

交期

现货

批次

—

DC010NDG-K参数

封装TO-252
品牌DOINGTER(杜因特)
MOQ / SPQ1 / 5
漏源电压(Vdss)30V
耗散功率(Pd)31W
栅极电荷量(Qg)9.8nC@10V
反向传输电容(Crss)108pF
类型N沟道
栅极电压(Vgs)±20V
商品型号DC010NDG-K
单位个
商品重量0.0005292
分类场效应管(MOSFET)
库存2500
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))6.6mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))1.46V
输入电容(Ciss)900pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)126pF
商品名称DC010NDG-K
包装方式编带
商品类型场效应管(MOSFET)

DC010NDG-K概述

N管/30V/55A/10MΩ/(典型6.6MΩ)

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